新型存储器主要包括铁电存储器（FRAM），相变存储器（PCRAM），磁存储器（MRAM），阻变存储器（RRAM）等。FRAM工作原理是利用铁电薄膜材料剩余极化双稳态的特点，它具有非易失性、高速度、高密度、抗辐射等优点，被认为半导体存储器的终结者。ABO3型Pb(Zr1-xTix)O3(0<x<1, PZT)和铋层状SrBi2Ta2O9(SBT)薄膜是铁电存储器应用最主要的两种材料。本文以PZT铁电存储器为中心，展开研究工作。首先实验研究了溅射法制备PZT铁电薄膜并对其结构和电学特性进行了测试分析；针对铁电存储器集成工艺流程进行了研究和优化，特别研究了铅在工艺过程中的挥发性及对CMOS电路的影响；而后对集成铁电电容和铁电存储器进行研究；并研制出了2T2C结构铁电存储器测试芯片，测试出其存储性能。在国内外首先提出并验证了MFPIS结构FFET存储器件并在Applied Physics Letters刊物和国际集成铁电会议上报道了该研究结果。