氧化鋅是寬能隙材料，與氮化鎵材料有相同之wurtzite結構，因材料成本低廉，在發光二極體應用上深具潛力。就發光二極體應用而言，由於傳統c-面氧化鋅會有極化效應而降低發光效率，為避免此極化效應之產生，因此開發非極性晶面成長技術甚為重要。本文將探討運用鋁酸鑭單晶基板之不同切面，如(001)、 (114)、(112)等，以調變表面原子間距，可獲得成長非極性氧化鋅晶面適當之平台，藉由脈衝雷射鍍膜技術之優異特性，磊晶成長出a面及m面之非極性氧化鋅並進行相關物性及光性探討。本研究首先提出了基板工程之觀念，透過此基板工程觀念可調變出不同成長平台之表面晶格尺寸，使得未來磊晶成長功能性材料，不再受限於目前有限之基板材料。除可應用於非極性晶面氧化鋅成長外，未來將可廣泛應用於不同晶面之材料成長。