本书研究了弛豫铁电体铌镁酸铅-钛酸铅PMN-PT单晶电子能带结构。第一章是绪论,介绍了本书的研究背景。第二章中介绍了常见压电单晶生长技术,包括高温溶液法、顶部籽晶溶液法、固态再结晶法、Bridgman方法。研究了(001)切向的PMN-PT单晶的光学性质。发现PMN-0.24PT的直接带隙有着负温度系数而PMN-0.31PT单晶有着正的温度系数。第三章中我们研究了在准同型相界附近温度依赖的铁电PIN-PMN-PT单晶的透射光谱。铁电PIN-PMN-PT单晶在准同型相界附近能带变窄系数dEgd/dT是不同的,它和不同的晶体结构以及相有关。讨论了在铁电PIN-PMN-PT单晶中多相共存和竞争,以及随着温度变化它们如何对能带的影响。我们提出能带多相模型来解释准同型相界附近正的和负的能带温度系数。这个模型指出正系数存在的两个关键因素:(i) 共存的两相或者多相;(ii)随着温度变化多相结构是不稳定的。第四章,我们通过反射光谱研究了PMN-PT/PIN-PMN-PT单晶的高能临界点跃迁随组分及温度的变化规律。本书的研究内容,是作者从事弛豫铁电体科研工作的积累,改编自作者本人博士论文中核心部分(钙钛矿铁电器件材料制备与性能,华东师范大学博士论文)。研究得到了中国博士后科学基金资助项目(2014M560357),上海市青年科技英才扬帆计划项目(15YF1413900)的资助。
书籍详述: |
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ISBN-13: |
978-3-639-73830-8 |
ISBN-10: |
3639738306 |
EAN: |
9783639738308 |
书籍语言: |
中文 |
By (author) : |
佳俊 诸 |
页数 : |
64 |
出版于: |
20.03.2015 |
分类: |
Informatics |