以脈衝雷射鍍膜技術於鋁酸鑭單晶基板成長非極性氧化鋅薄膜之研究

氧化鋅是寬能隙材料，與氮化鎵材料有相同之wurtzite結構，因材料成本低廉，在發光二極體應用上深具潛力。就發光二極體應用而言，由於傳統c-面氧化鋅會有極化效應而降低發光效率，為避免此極化效應之產生，因此開發非極性晶面成長技術甚為重要。本文將探討運用鋁酸鑭單晶基板之不同切面，如(001)、 (114)、(112)等，以調變表面原子間距，可獲得成長非極性氧化鋅晶面適當之平台，藉由脈衝雷射鍍膜技術之優異特性，磊晶成長出a面及m面之非極性氧化鋅並進行相關物性及光性探討。本研究首先提出了基板工程之觀念，透過此基板工程觀念可調變出不同成長平台之表面晶格尺寸，使得未來磊晶成長功能性材料，不再受限於目前有限之基板材料。除可應用於非極性晶面氧化鋅成長外，未來將可廣泛應用於不同晶面之材料成長。