与白炽灯和荧光灯相比，InGaN基白光LED具有能耗低、效率 高、寿命长、体积 小和维护费低等优点。其制备原理是以InGaN芯片发出的近紫外光激发绿、红、蓝三色荧光粉而得到白光。荧光粉的性能决定了白光LED的优劣，但是现阶段商业生产的红粉材料不但发光效率比蓝粉和绿粉材料低，而且多为硫化物（例如Y2O2S:Eu3+ 和 CaS:Eu2+）容易分解产生二氧化硫等有毒气体，红粉材料的缺乏严重制约了WLED的发展，因此 急需寻找到新的高效的LED用红粉材料。本文通过Sonogashira偶联反应和克莱森酯缩合反应合成了四种长共轭的三氟β—二酮分子，并用邻菲罗啉作为辅助配体，分别与稀土铕(Ⅲ)络合形成三元配合物。并对这四种配合物进行了多种结构和光物理性质方面的表征。四种配合物都符合LED用红粉材料的要求，尤其是对氟取代的配合物是一种极具应用前景的高效WLED用红粉材料。