傳統IC封裝使用金作為打線接合的主要材料，近年來金價上漲導致封裝業者積極開發銅打線接合技術，而銅打線接合技術於銅球表面鍍鈀金屬，除了可以防止銅球表面氧化，還可以提高打線接合強度，並維持打線過後的線球形狀，同時降低生產成本。現今電腦硬體設備的提升以及套裝軟體的使用，使我們可以利用有限元素法模擬的方式來解決複雜的問題，然而執行數值模擬前必須輸入各材料之基本機械參數，才可有效的進行其模擬與分析。然而鈀金屬在高溫下之熱膨脹係數目前均無相關實驗結果，只有部分參考文獻中有提及利用常溫以下(-243℃~-3℃)之鈀金屬熱膨脹係數實驗值將其外插至常溫以上之範圍(20.15℃~227℃)。故本研究主要目的在利用數位影像相關法量測從室溫30℃至200℃不同溫度下之鈀金屬熱膨脹係數。實驗結果顯示，本研究所得之鈀金屬熱膨脹係數實驗值與文獻中提供的外插值之偏差會隨著溫度變化之增加而增加，當溫度增加170℃時，偏差量高達19.34%，顯示文獻所提供之數據有修正之必要；本研究並結合文獻中所提供常溫以下之實驗數據與本研究所得常溫以上之實驗數據形成一新的三次多項式可預測鈀金屬從-243℃至200℃之熱膨脹係數。