在此書中，主要研究不同厚度之穿隧層以及不同幾何形狀之磁阻元件對於穿隧式磁阻所造成的影響。利用本實驗室濺鍍之磁性多層膜，透過光微影術及Ion milling蝕刻，把多層膜製作成穿隧式磁阻元件，並使用四點量測分析研究。 改變穿隧層之厚度實驗中發現，自由層之磁矩會受到釘扎層磁矩的影響而產生較不一致的轉動，造成高低組態的瞬間變化較不明顯；此外，改變不同幾何形狀之元件實驗中，觀察到元件中的磁性多層膜易受到形狀異向性的影響，使得磁阻的平行及反平型態也受影響，導致磁阻的改變，而實驗結果顯示當穿隧式元件之長寬比越大時，磁阻就會越大，這讓我們在未來要定義元件時，可以因為需要而定義不同的長寬比元件。 另外，此書中也有利用退火系統定義磁矩之方向性，讓磁性多層膜所要求的平行與反平行態能夠達到所需，並且從穿透式電子顯微鏡(TEM)中觀看溫度對於多層膜的影響，而結果中發現退火後磁性多層膜會產生多晶結構，並且有些許擴散現象。最後，也可利用超導量子干涉儀(SQUID)看出電子在磁性多層膜中的傳輸特性；結果發現電子在磁多層膜的傳輸方式是金屬傳輸方式。