铟锡氧化物(ITO，Indium Tin Oxide)是一种锡掺杂氧化铟的半导体材料，其良好的光电性能主要应用于制备透明导电薄膜。本书介绍一种液相共沉淀法制备ITO纳米粉体。以精铟（In，99.995%）、五水四氯化锡（SnCl4·5H2O）为原料，氨水溶液（NH4OH）为沉淀剂，以硫酸氨-氨水溶液（(NH4)2SO4 - NH4OH）为反应底液，共沉淀时采用硫酸铟、五水四氯化锡混合盐溶液与沉淀剂氨水同时加入反应底液中，控制两者的滴定速度，稳定反应体系的pH值，以获得掺杂均匀的ITO前驱体，再将此前驱体洗涤、干燥、碾磨、煅烧，得到了纳米ITO粉体。运用热分析(TG，DSC)、X射线衍射分析(XRD)、透射电镜分析(TEM)、粒度分析等多种分析手段对ITO前驱体的受热行为、ITO粉体的物相组成、微观形貌、粒径分布等特征进行了表征。